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IRF6603TR1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	27A (Ta), 92A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	+20V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6590 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET™ MT
Paket / Fall	DirectFET™ Isometric MT

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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