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IRF6668TR1PBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1320 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET™ MZ
Paket / Fall	DirectFET™ Isometric MZ

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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