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IRF6623TR1PBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	16A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1360 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.4W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET™ ST
Paket / Fall	DirectFET™ Isometric ST

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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