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Hersteller-Teilenummer: | IRF6612TR1PBF |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET |
Datenblätter: | IRF6612TR1PBF Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | HEXFET® |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 24A (Ta), 136A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3970 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Ankunft in 3-5 Tagen
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