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IRF6613TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	23A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5950 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DIRECTFET™ MT
Paket / Fall	DirectFET™ Isometric MT

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 4794

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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