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SCT2H12NZGC11

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3PFM
Paket / Fall	TO-3PFM, SC-93-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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