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SCT2120AFC

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 3.3mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	61 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 500 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	165W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1689

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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