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ROHM Semiconductor / SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

Hersteller-Teilenummer: SCT2H12NYTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Datenblätter: SCT2H12NYTB Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs14 nC @ 18 V
Vgs (Max)+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds184 pF @ 800 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)44W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-268
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 647

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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