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Hersteller-Teilenummer: | SCT2H12NYTB |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Teil der Beschreibung: | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
Datenblätter: | SCT2H12NYTB Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 44W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-268 |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Lagerbestand: 647
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
40 US-Dollar von FedEx.
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