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SIHB22N60AEL-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	EL
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1757 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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