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SIHB12N50C-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	555mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1375 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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