Das Bild dient als Referenz, bitte kontaktieren Sie uns, um das echte Bild zu erhalten

SIHB20N50E-GE3

ANMERKUNG: Vishay / Siliconix SIHB20N50E-GE3 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.

Alle Elektronikkomponenten werden durch ESD-Antistatikschutz sehr sicher verpackt.

package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 718

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

Beliebte Modelle

Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.