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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GB150TH120N

VS-GB150TH120N

Hersteller-Teilenummer: VS-GB150TH120N
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
Datenblätter: VS-GB150TH120N Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
IGBT-Typ-
AufbauHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)300 A
Leistung max1008 W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5 mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce11 nF @ 25 V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallDouble INT-A-PAK (3 + 4)
LieferantengerätepaketDouble INT-A-PAK
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