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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GB75SA120UP

VS-GB75SA120UP

Hersteller-Teilenummer: VS-GB75SA120UP
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
Datenblätter: VS-GB75SA120UP Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
IGBT-TypNPT
AufbauSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)-
Leistung max658 W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250 µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227
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