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Hersteller-Teilenummer: | TPCF8102(TE85L,F,M |
Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 6A VS-8 |
Datenblätter: | TPCF8102(TE85L,F,M Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | U-MOSIII |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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