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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPCF8A01(TE85L)
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TPCF8A01(TE85L)
| Hersteller-Teilenummer: | TPCF8A01(TE85L) |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 |
| Datenblätter: | TPCF8A01(TE85L) Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPCF8A01(TE85L) ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | U-MOSIII |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 330mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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