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G3R45MT17K

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	G3R™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 40A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	182 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4523 pF @ 1000 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	438W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-4
Paket / Fall	TO-247-4

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