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G3R450MT17D

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	G3R™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	585mOhm @ 4A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	18 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 1000 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	88W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 524

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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