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Vishay / Siliconix / SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer: SIZF916DT-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH DUAL 30V
Datenblätter: SIZF916DT-T1-GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchFET® Gen IV
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Leistung max3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-PowerPair® (6x5)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1900

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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Frachtberechnung

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