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Vishay / Siliconix / SIZF300DT-T1-GE3
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SIZF300DT-T1-GE3
| Hersteller-Teilenummer: | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
| Datenblätter: | SIZF300DT-T1-GE3 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Vishay / Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
Alle Elektronikkomponenten werden durch ESD-Antistatikschutz sehr sicher verpackt.
Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Leistung max | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: 5975
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
||
Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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