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SI3590DV-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	830mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	6-TSOP

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 5557

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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