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SI3529DV-T1-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Leistung max	1.4W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	6-TSOP

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