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SI5517DU-T1-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 10V
Leistung max	8.3W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	PowerPAK® ChipFET™ Dual
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® ChipFet Dual

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