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SI5509DC-T1-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Leistung max	4.5W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	1206-8 ChipFET™

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