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SIZ998DT-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Leistung max	20.2W, 32.9W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket	8-PowerPair®

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