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SIZ926DT-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET® Gen IV
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Leistung max	20.2W, 40W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket	8-PowerPair® (6x5)

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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