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Hersteller-Teilenummer: | EPC2108 |
Hersteller: | EPC |
Teil der Beschreibung: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
Datenblätter: | EPC2108 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | eGaN® |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 9-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
Lagerbestand: 2586
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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