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EPC2110ENGRT

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	eGaN®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	Die
Lieferantengerätepaket	Die

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