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IR (Infineon Technologies) / IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF

Hersteller-Teilenummer: IRF8513TRPBF
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Datenblätter: IRF8513TRPBF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds766pF @ 15V
Leistung max1.5W, 2.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO
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