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Rochester Electronics / IRF8910PBF

IRF8910PBF

Hersteller-Teilenummer: IRF8910PBF
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: HEXFET POWER MOSFET
Datenblätter: IRF8910PBF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds960pF @ 10V
Leistung max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO
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