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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTP5N120BND
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HGTP5N120BND
| Hersteller-Teilenummer: | HGTP5N120BND |
| Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Teil der Beschreibung: | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Datenblätter: | HGTP5N120BND Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP5N120BND ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | Tube |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200 V |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 21 A |
| Strom - Sammler gepulst (Icm) | 40 A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Leistung max | 167 W |
| Energie schalten | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 53 nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/160ns |
| Testbedingung | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
KAUFOPTIONEN
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| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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