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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Hersteller-Teilenummer: HGTP2N120CN
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Datenblätter: HGTP2N120CN Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusObsolete
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)13 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)20 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2.6A
Leistung max104 W
Energie schalten96µJ (on), 355µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30 nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/205ns
Testbedingung960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3
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