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IR (Infineon Technologies) / BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1

Hersteller-Teilenummer: BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Datenblätter: BSS606NH6327XTSA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 15µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs5.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-SOT89
Paket / FallTO-243AA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 4616

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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