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IR (Infineon Technologies) / BSS670S2LH6433XTMA1
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BSS670S2LH6433XTMA1
| Hersteller-Teilenummer: | BSS670S2LH6433XTMA1 |
| Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| Datenblätter: | BSS670S2LH6433XTMA1 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- IR (Infineon Technologies) BSS670S2LH6433XTMA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | * |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
KAUFOPTIONEN
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| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
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