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Rochester Electronics / FDFME3N311ZT

FDFME3N311ZT

Hersteller-Teilenummer: FDFME3N311ZT
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A 6UMLP
Datenblätter: FDFME3N311ZT Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SeriePowerTrench®
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 15 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-UMLP (1.6x1.6)
Paket / Fall6-UFDFN Exposed Pad
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