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FDFME2P823ZT

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	PowerTrench®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.4W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-MicroFET (1.6x1.6)
Paket / Fall	6-UFDFN Exposed Pad

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 40000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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