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2SJ652-1E

Hersteller-Teilenummer:	2SJ652-1E
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Datenblätter:	2SJ652-1E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	28A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4360 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220F-3SG
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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