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2SJ681(Q)

Hersteller-Teilenummer:	2SJ681(Q)
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2
Datenblätter:	2SJ681(Q) Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	20W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PW-MOLD2
Paket / Fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak

KAUFOPTIONEN

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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