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SI7726DN-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	SkyFET®, TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1765 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8

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