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SI7703EDN-T1-E3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8

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