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IPD78CN10NGBUMA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 12µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	716 pF @ 50 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	31W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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