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Hersteller-Teilenummer: | IPD70N10S3L12ATMA1 |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
Datenblätter: | IPD70N10S3L12ATMA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | OptiMOS™ |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5550 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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