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Hersteller-Teilenummer: | SISH108DN-T1-GE3 |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | TrenchFET® Gen II |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
Lagerbestand: 6000
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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