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Hersteller-Teilenummer: | SISH101DN-T1-GE3 |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | TrenchFET® |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16.9A (Ta), 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
Lagerbestand: 7405
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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