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C3M0280090J

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	C3M™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	9.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 600 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK-7
Paket / Fall	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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