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C3M0120065D

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	C3M™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 1.86mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	28 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	640 pF @ 400 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	98W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 431

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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