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IRLHS6342TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1019 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-PQFN (2x2)
Paket / Fall	6-PowerVDFN

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 6452

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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