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IRLHM630TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	21A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PQFN (3x3)
Paket / Fall	8-VQFN Exposed Pad

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 16000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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