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IR (Infineon Technologies) / BSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1

Hersteller-Teilenummer: BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Datenblätter: BSB028N06NN3GXUMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 102µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs143 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketMG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Fall3-WDSON
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