IR (Infineon Technologies) / BSB012NE2LXIXUMA1
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BSB012NE2LXIXUMA1
| Hersteller-Teilenummer: | BSB012NE2LXIXUMA1 |
| Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON |
| Datenblätter: | BSB012NE2LXIXUMA1 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- IR (Infineon Technologies) BSB012NE2LXIXUMA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 170A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5852 pF @ 12 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Paket / Fall | 3-WDSON |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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