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SI8499DB-T2-E1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	30 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paket / Fall	6-UFBGA

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